在半導(dǎo)體芯片尺寸逼近物理極限、納米材料應(yīng)用突破傳統(tǒng)邊界的今天，如何實(shí)現(xiàn)微米級(jí)甚至納米級(jí)器件的精準(zhǔn)測(cè)試與操控，成為制約科技創(chuàng)新的關(guān)鍵瓶頸。澤攸憑借自主研發(fā)的探針臺(tái)系列產(chǎn)品，以“三維定位精度達(dá)納米級(jí)、環(huán)境適應(yīng)性跨越-196℃至400℃”的核心技術(shù)，為微納電子、光電材料、量子計(jì)算等領(lǐng)域提供了從基礎(chǔ)研究到產(chǎn)業(yè)化的全鏈條解決方案。
 

　　一、半導(dǎo)體行業(yè)的“質(zhì)量守門人”

　　在晶圓制造環(huán)節(jié)，澤攸手動(dòng)探針臺(tái)系統(tǒng)通過(guò)特制熱沉設(shè)計(jì)將溫度波動(dòng)控制在±0.1℃以內(nèi)，配合高精度微調(diào)樣品座，可實(shí)現(xiàn)0.1μm級(jí)落針精度。該系統(tǒng)支持4-8個(gè)探針臂同步操作，單軸定位精度達(dá)±0.005mm，能同時(shí)完成集成電路的電壓、電流、電阻及電容特性曲線測(cè)試。某國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片廠商采用該設(shè)備后，將晶圓測(cè)試良率從92%提升至98.7%，單片晶圓測(cè)試時(shí)間縮短40%，每年節(jié)省檢測(cè)成本超千萬(wàn)元。

　　二、異常環(huán)境下的“科學(xué)探險(xiǎn)家”

　　澤攸低溫液氮探針臺(tái)LN-4H-06突破傳統(tǒng)測(cè)試邊界，其真空腔體可達(dá)6×10??Pa超高真空，變溫樣品臺(tái)實(shí)現(xiàn)80K至400K寬溫域調(diào)控。在北京大學(xué)核殼填料研究中，該設(shè)備在-193℃低溫下，通過(guò)SEM納米探針臺(tái)的單球電氣測(cè)試功能，精確驗(yàn)證了銀微球涂覆氧化鋁層后的絕緣性能，電阻值提升6個(gè)數(shù)量級(jí)，為高性能熱管理材料開發(fā)提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。

　　三、納米科技的“萬(wàn)能操作臺(tái)”

　　微納探針臺(tái)采用壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)技術(shù)，在100mm×100mm行程范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)定位，配備的連續(xù)變倍顯微鏡可實(shí)現(xiàn)700倍視頻放大。在量子點(diǎn)器件研發(fā)中，該設(shè)備通過(guò)光纖探針替換傳統(tǒng)電學(xué)探針，成功實(shí)現(xiàn)單光子發(fā)射器的原位表征，將測(cè)試效率提升10倍。更值得關(guān)注的是，其模塊化設(shè)計(jì)支持快速升級(jí)，某科研團(tuán)隊(duì)通過(guò)加裝納米鑷子選件，在真空環(huán)境中完成了碳納米管的機(jī)械剝離與電學(xué)測(cè)試。

　　從晶圓廠到國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，澤攸探針臺(tái)已形成覆蓋手動(dòng)、自動(dòng)、低溫、SEM原位等12大系列的產(chǎn)品矩陣，累計(jì)服務(wù)全球300余家科研機(jī)構(gòu)及企業(yè)。在芯片制程邁向2nm、量子計(jì)算進(jìn)入工程化階段的當(dāng)下，這些能“在頭發(fā)絲上雕刻電路”的精密儀器，正持續(xù)推動(dòng)著微納電子技術(shù)的邊界拓展。